Numer produktu producenta:
TK13E25D,S1X(S
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK13E25D,S1X(S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 13A (Ta) 102W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
44 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889248
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK13E25D,S1X(S Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
102W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK13E25
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK13E25DS1XS
TK13E25DS1X(S
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF644PBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1392
NUMER CZĘŚCI
IRF644PBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.65
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
TK20C60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
