Numer produktu producenta:
TK10V60W,LVQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK10V60W,LVQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Magazyn:
12890192
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK10V60W,LVQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
88.3W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
4-DFN-EP (8x8)
Pakiet / Walizka
4-VSFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
TK10V60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK10V60WLVQTR
TK10V60WLVQCT
TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
SSM3J117TU,LF
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
