Numer produktu producenta:
SSM3J117TU,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J117TU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Magazyn:
5279 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890205
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J117TU,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSII
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
117mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
280 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
UFM
Pakiet / Walizka
3-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
SSM3J117
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3J117TULFCT
SSM3J117TULFTR
DF5G7M2NLF(D
SSM3J117TULFDKR
SSM3J117TU,LF(T
SSM3J117TU,LF(B
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPWR8004PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
SSM3K09FU,LF
MOSFET N-CH 30V 400MA USM
DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
