Numer produktu producenta:
TK100E10N1,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK100E10N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
4370 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889325
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK100E10N1,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8800 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
255W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK100E10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK100E10N1S1X
TK100E10N1,S1X(S
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
SSM6P16FE(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
