Numer produktu producenta:
SSM6P16FE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6P16FE(TE85L,F)-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Magazyn:
12889331
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6P16FE(TE85L,F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11 pF @ 3 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Podstawowy numer produktu
SSM6P16
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6P16FE(TE85LF)TR
SSM6P16FETE85LF
SSM6P16FE(TE85LF)CT
SSM6P16FE(TE85LF)DKR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
TK20N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
TK31N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
