Numer produktu producenta:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Magazyn:
2000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889173
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+10V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6290 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
90W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK+
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
TJ50S06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TJ50S06M3LT6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR
TJ50S06M3L(T6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT-DG
TJ50S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
