Numer produktu producenta:
DMT6002LPS-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT6002LPS-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Magazyn:
2486 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889174
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT6002LPS-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6555 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.3W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI5060-8 (Type K)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
DMT6002
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMT6002LPS-13DKR
DMT6002LPS-13-DG
31-DMT6002LPS-13TR
31-DMT6002LPS-13CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
SSM3K324R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
