Numer produktu producenta:
SSM6N357R,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6N357R,LF-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 60V 650mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Magazyn:
4400 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889388
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6N357R,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
650mA (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.5nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60pF @ 12V
Moc - Max
1.5W (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-SMD, Flat Leads
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP-F
Podstawowy numer produktu
SSM6N357
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6N357RLFCT
SSM6N357RLFTR
SSM6N357R,LF(B
SSM6N357RLFDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM6N35AFE,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
SSM6L14FE(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
SSM6L13TU(T5L,F,T)
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6