Numer produktu producenta:
SSM6L13TU(T5L,F,T)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6L13TU(T5L,F,T)-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 800mA (Ta) 500mW Surface Mount UF6
Magazyn:
12889419
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6L13TU(T5L,F,T) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
268pF @ 10V, 250pF @ 10V
Moc - Max
500mW
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-SMD, Flat Leads
Pakiet urządzeń dostawcy
UF6
Podstawowy numer produktu
SSM6L13
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6L13TU(T5L,F,T)-DG
SSM6L13TU(T5LFT)
SSM6L13TU(T5LFT)TR
SSM6L13TU(T5LFT)TR-DG
SSM6L13TUT5LFT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
SSM6N67NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
SSM6N44FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6