Numer produktu producenta:
SSM3J114TU(TE85L)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J114TU(TE85L)-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Magazyn:
93 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889273
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J114TU(TE85L) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
149mOhm @ 600mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.7 nC @ 4 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
331 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
UFM
Pakiet / Walizka
3-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
SSM3J114
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3J114TU(TE85L)CT
SSM3J114TU(TE85L)TR
SSM3J114TU(TE85L)DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SSM3J135TU,LF
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
56
NUMER CZĘŚCI
SSM3J135TU,LF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.07
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J356R,LF
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
SSM3K131TU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A UFM
TK28N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
