Numer produktu producenta:
SSM3J356R,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J356R,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Magazyn:
189285 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889274
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J356R,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+10V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23F
Pakiet / Walizka
SOT-23-3 Flat Leads
Podstawowy numer produktu
SSM3J356
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3J356RLFTR
SSM3J356R,LF(B
SSM3J356RLFDKR
SSM3J356RLFCT
SSM3J356R,LF(T
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3K131TU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A UFM
TK28N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
SSM3K347R,LF
MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
