RN4903,LF(CT
Numer produktu producenta:

RN4903,LF(CT

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numer części:

RN4903,LF(CT-DG

Opis:

PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER2
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6

Magazyn:

3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891174
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

RN4903,LF(CT Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
22kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
22kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
200MHz, 250MHz
Moc - Max
200mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
US6
Podstawowy numer produktu
RN4903

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
RN4903,LF(CB
RN4903LF(CTDKR
RN4903LF(CTCT
RN4903LF(CTTR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4904,LF

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2706JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4607(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2707,LF

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH