Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
RN4607(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN4607(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Magazyn:
795 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891191
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN4607(TE85L,F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
10kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
200MHz
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
SM6
Podstawowy numer produktu
RN4607
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
RN4607
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN4607(TE85LF)TR
RN4607(TE85LF)CT
RN4607(TE85LF)DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IMD9AT108
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5365
NUMER CZĘŚCI
IMD9AT108-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.08
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PIMH9,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3000
NUMER CZĘŚCI
PIMH9,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.04
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PUMD9,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
49959
NUMER CZĘŚCI
PUMD9,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN2707,LF
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN2908FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2606(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2908(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6