Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
PUMD9,115
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PUMD9,115-DG
Opis:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Magazyn:
49959 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12828910
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PUMD9,115 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
10kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
1µA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSSOP
Podstawowy numer produktu
PUMD9
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
PUMD9,115
Karta danych HTML
PUMD9,115-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
5202-PUMD9,115TR
568-6551-1-DG
1727-5234-6
1727-5234-2
PUMD9,115-DG
1727-5234-1
934055050115
568-6551-2
NEXNEXPUMD9,115
568-6551-1
PUMD9115
PUMD9 T/R
PUMD9 T/R-DG
568-6551-6-DG
568-6551-2-DG
568-6551-6
2156-PUMD9,115-NEX
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PEMH13,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
PQMH2Z
TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
PUMD3,135
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
UMH2N-TP
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363