Numer produktu producenta:
HN4A51JTE85LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
HN4A51JTE85LF-DG
Opis:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Magazyn:
6119 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889130
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
JErU
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
HN4A51JTE85LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 PNP (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
120V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Moc - Max
300mW
Częstotliwość - Przejście
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74A, SOT-753
Pakiet urządzeń dostawcy
SMV
Podstawowy numer produktu
HN4A51
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
HN4A51J (TE85L,F)
HN4A51J(TE85L,F)
HN4A51JTE85LFDKR
HN4A51JTE85LFCT
HN4A51JTE85LFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
HN1C01FU-Y,LF
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6