Numer produktu producenta:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
HN3C51F-GR(TE85L,F-DG
Opis:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Magazyn:
12889166
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
HN3C51F-GR(TE85L,F Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
2 NPN (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
120V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Moc - Max
300mW
Częstotliwość - Przejście
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
SM6
Podstawowy numer produktu
HN3C51
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
HN4A56JU(TE85L,F)
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
