Numer produktu producenta:
2SK3798(STA4,Q,M)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
Opis:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 4A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
12987734
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SK3798(STA4,Q,M) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-2SK3798(STA4,Q,M)-DG
264-2SK3798(STA4QM)
264-2SK3798(STA4,Q,M)
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DI020P06PT
MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
IAUC120N04S6N006ATMA1
IAUC120N04S6N006ATMA1
TW015N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO