Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IAUC120N04S6N006ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IAUC120N04S6N006ATMA1-DG
Opis:
IAUC120N04S6N006ATMA1
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 120A (Tj) 187W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53
Magazyn:
7576 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12987738
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IAUC120N04S6N006ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 130µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10117 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
187W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-53
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
IAUC120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IAUC120N04S6N006ATMA1
Karta danych HTML
IAUC120N04S6N006ATMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP004463660
448-IAUC120N04S6N006ATMA1TR
448-IAUC120N04S6N006ATMA1CT
448-IAUC120N04S6N006ATMA1DKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TW015N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
TK4P60D,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(
IPP011N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
G20P10KE
MOSFET P-CH ESD 100V 20A TO-252