Numer produktu producenta:
2SK2845(TE16L1,Q)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
2SK2845(TE16L1,Q)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 1A DP
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Magazyn:
12891701
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SK2845(TE16L1,Q) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PW-MOLD
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
2SK2845
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTY1N100P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTY1N100P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.61
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
T2N7002BK,LM
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
DMG4N60SCT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
