T2N7002BK,LM
Numer produktu producenta:

T2N7002BK,LM

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numer części:

T2N7002BK,LM-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Magazyn:

361939 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891705
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

T2N7002BK,LM Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
320mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
T2N7002

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
T2N7002BKLM
T2N7002BK,LM(B
T2N7002BKLMDKR
T2N7002BKLMCT
T2N7002BKLMTR
T2N7002BK,LM(T
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

DMG2302UKQ-7

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3

diodes

DMG4N60SCT

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB

diodes

DMN3016LFDF-13

MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN

diodes

DMN3010LK3-13

MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252