Numer produktu producenta:
2SJ668(TE16L1,NQ)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
2SJ668(TE16L1,NQ)-DG
Opis:
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Magazyn:
12889158
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SJ668(TE16L1,NQ) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
U-MOSIII
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
700 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
20W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PW-MOLD
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
2SJ668
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2SJ668(TE16L1NQ)
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TJ8S06M3L,LXHQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3443
NUMER CZĘŚCI
TJ8S06M3L,LXHQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.29
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
TK8A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
