STW42N60M2-EP
Numer produktu producenta:

STW42N60M2-EP

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

STW42N60M2-EP-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3

Magazyn:

480 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12880058
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

STW42N60M2-EP Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ M2-EP
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
34A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
87mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2370 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
STW42

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
497-15883-5
-1138-STW42N60M2-EP
497-15883-5-DG
497-STW42N60M2-EP
Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
stmicroelectronics

STP28NM50N

MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB

stmicroelectronics

STF20NF06L

MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP

stmicroelectronics

STP10NK80Z

MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB

stmicroelectronics

STFI6N80K5

MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAKFP