Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
STP10NK80Z
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP10NK80Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
1 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12880064
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP10NK80Z Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
SuperMESH™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2180 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
ST(P,W)10NK80Z(FP)
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
STP10NK80Z-DG
497-7498-5
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SPP08N80C3XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1997
NUMER CZĘŚCI
SPP08N80C3XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.00
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPP80R900P7XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IPP80R900P7XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.56
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
SPP04N80C3XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
590
NUMER CZĘŚCI
SPP04N80C3XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.65
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
SPP06N80C3XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5987
NUMER CZĘŚCI
SPP06N80C3XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.81
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
FCP4N60
PRODUCENT
Fairchild Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1335
NUMER CZĘŚCI
FCP4N60-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STFI6N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAKFP
STT7P2UH7
MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
STP22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A
STI21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK