Numer produktu producenta:
STT7P2UH7
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STT7P2UH7-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 7A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Magazyn:
12880073
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STT7P2UH7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
STripFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2390 pF @ 16 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-6
Pakiet / Walizka
SOT-23-6
Podstawowy numer produktu
STT7P
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-15157-6
497-15157-1
497-15157-2
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SQ3425EV-T1_GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SQ3425EV-T1_GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.20
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STP22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A
STI21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
STB9NK70ZT4
MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
