Numer produktu producenta:
STP5N120
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP5N120-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
12877104
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP5N120 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
SuperMESH™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP5N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
STP5N120-DG
497-8811-5
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFP6N120P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
171
NUMER CZĘŚCI
IXFP6N120P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
5.19
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
STP33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
