Numer produktu producenta:
IXFP6N120P
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFP6N120P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
171 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12819695
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFP6N120P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Polar
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2830 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IXFP6N120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-IXFP6N120P
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTQ44N30T
MOSFET N-CH 300V 44A TO3P
IXTQ32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
IXFN520N075T2
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
