Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
STP26N60DM6
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP26N60DM6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12877366
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP26N60DM6 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ DM6
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
195mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
940 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP26
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
STP26N60DM6 Datasheet
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-18499
Pakiet Standard
350
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCP16N60N
PRODUCENT
Fairchild Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2766
NUMER CZĘŚCI
FCP16N60N-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
TK16E60W,S1VX
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
39
NUMER CZĘŚCI
TK16E60W,S1VX-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.10
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPP60R199CPXKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
512
NUMER CZĘŚCI
IPP60R199CPXKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.75
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPP65R190C7FKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
499
NUMER CZĘŚCI
IPP65R190C7FKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.23
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
TK20E60W,S1VX
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
35
NUMER CZĘŚCI
TK20E60W,S1VX-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.29
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STP11NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STW70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
STF11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
STB57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK