Numer produktu producenta:
STP11N60DM2
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP11N60DM2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
896 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12874310
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP11N60DM2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
614 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP11
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-16932
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STB12NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
STP13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STD35NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
