Numer produktu producenta:
STB12NM60N-1
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STB12NM60N-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Magazyn:
12874313
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STB12NM60N-1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
MDmesh™ II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
410mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
960 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
90W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
STB12N
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STP11NM60ND
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STP11NM60ND-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.81
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP13NM60N
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
649
NUMER CZĘŚCI
STP13NM60N-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.01
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STP13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STD35NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
STL220N3LLH7
MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT