Numer produktu producenta:
STI33N60M6
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STI33N60M6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Magazyn:
12970758
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STI33N60M6 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
MDmesh™ M6
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1515 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262 (I2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
STI33
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-STI33N60M6
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STI47N60DM6AG
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
40
NUMER CZĘŚCI
STI47N60DM6AG-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.19
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AOB600A70FL
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5461A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
