Numer produktu producenta:
STI47N60DM6AG
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STI47N60DM6AG-DG
Opis:
POWER TRANSISTORS
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Magazyn:
40 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12873555
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STI47N60DM6AG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ DM6
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262 (I2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
STI47
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STI11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
BUK9214-30A,118
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
STP5NK90Z
MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB