Numer produktu producenta:
STF18N65M2
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STF18N65M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Magazyn:
3720 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12877086
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STF18N65M2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ M2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
330mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
770 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
STF18
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-15533-5
497-15533-5-DG
497-STF18N65M2
-497-15533-5
5060-STF18N65M2
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STU12N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
STD11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STP12NM50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB