Numer produktu producenta:
STF10N65K3
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STF10N65K3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Magazyn:
952 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12948656
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STF10N65K3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
SuperMESH3™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
STF10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-12562-5
STF10N65K3-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AIMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
