Numer produktu producenta:
AIMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
AIMW120R045M1XKSA1-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Magazyn:
239 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12948663
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AIMW120R045M1XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolSiC™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (maks.)
+20V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2130 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
228W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
AIMW120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP002472666
448-AIMW120R045M1XKSA1
2156-AIMW120R045M1XKSA1-448
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
