Numer produktu producenta:
STB9NK90Z
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STB9NK90Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Magazyn:
12876303
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STB9NK90Z Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
SuperMESH™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2115 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
STB9
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-7955-6
497-7955-2
STB9NK90Z-DG
497-7955-1
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STP28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
STL3P6F6
MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT
STP11NM65N
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
