SCT015W120G3-4AG
Numer produktu producenta:

SCT015W120G3-4AG

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

SCT015W120G3-4AG-DG

Opis:

TO247-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 129A (Tc) 673W (Tc) Through Hole TO-247-4

Magazyn:

13269616
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SCT015W120G3-4AG Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
129A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
15V, 18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 10mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
167 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3512 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
673W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4
Pakiet / Walizka
TO-247-4

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
497-SCT015W120G3-4AG
Pakiet Standard
600

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane