Numer produktu producenta:
SCT012H90G3AG
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
SCT012H90G3AG-DG
Opis:
H2PAK-7
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 110A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Magazyn:
13269619
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SCT012H90G3AG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
110A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
15V, 18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 10mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
138 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+18V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3880 pF @ 600 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
625W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
H2PAK-7
Pakiet / Walizka
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-SCT012H90G3AGTR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane