SCT018W65G3-4AG
Numer produktu producenta:

SCT018W65G3-4AG

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

SCT018W65G3-4AG-DG

Opis:

TO247-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 398W (Tc) Through Hole TO-247-4

Magazyn:

13269631
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SCT018W65G3-4AG Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
55A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
15V, 18V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
27mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
77 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2077 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
398W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4
Pakiet / Walizka
TO-247-4

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
497-SCT018W65G3-4AG
Pakiet Standard
600

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
goford-semiconductor

G1K1P06LH

MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2

onsemi

NTMFS0D9N04XLT1G

40V T10S IN S08FL PACKAGE