2SC3600D
Numer produktu producenta:

2SC3600D

Product Overview

Producent:

Sanyo

Numer części:

2SC3600D-DG

Opis:

2SC3600 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 400MHz 1.2 W Through Hole TO-126

Magazyn:

880 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12967796
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
lOjz
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2SC3600D Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
200 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
800mV @ 3mA, 30mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 10V
Moc - Max
1.2 W
Częstotliwość - Przejście
400MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Ocena
-
Kwalifikacja
-
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-225AA, TO-126-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-126

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-2SC3600D-600057
Pakiet Standard
314

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
fairchild-semiconductor

KSC2690YSTU

TRANS NPN 120V 1.2A TO126-3

onsemi

2SB817D

P-CHANNEL SILICON TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PBSS4612PA,115

NEXPERIA PBSS4612PA - SMALL SIGN

nxp-semiconductors

BC857BQAZ

NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN