Numer produktu producenta:
2SB817D
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
2SB817D-DG
Opis:
P-CHANNEL SILICON TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 15MHz 100 W Through Hole TO-3PB
Magazyn:
1357 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12967824
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SB817D Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
12 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
140 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
2.5V @ 500mA, 5A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 1A, 5V
Moc - Max
100 W
Częstotliwość - Przejście
15MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Ocena
-
Kwalifikacja
-
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3PB
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-2SB817D-488
Pakiet Standard
180
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PBSS4612PA,115
NEXPERIA PBSS4612PA - SMALL SIGN
BC857BQAZ
NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN
NJVMJB41CT4G
TRANS NPN D2PAK
