Numer produktu producenta:
US5U29TR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
US5U29TR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
Magazyn:
13524968
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
US5U29TR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.1 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
150 pF @ 10 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TUMT5
Pakiet / Walizka
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Podstawowy numer produktu
US5U29
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
US5U29CT
US5U29DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RTQ035N03TR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
SCT3030KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
TT8U2TR
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST