Numer produktu producenta:
TT8U2TR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
TT8U2TR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Magazyn:
13524991
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TT8U2TR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
850 pF @ 10 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSST
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Podstawowy numer produktu
TT8U2
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Karty katalogowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TT8U2TRDKR
TT8U2TRTR-ND
TT8U2DKR
TT8U2TRCT-ND
TT8U2TRTR
TT8U2CT
TT8U2TRDKR-ND
TT8U2TRCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RTQ035P02TR
MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
RSH110N03TB1
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
RQ6A050ZPTR
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
