Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
RQ7L055BGTCR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RQ7L055BGTCR-DG
Opis:
NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Magazyn:
2970 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12976106
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RQ7L055BGTCR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
460 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT8
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Podstawowy numer produktu
RQ7L055
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
RQ7L055BGTCR
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
846-RQ7L055BGTCRTR
846-RQ7L055BGTCRCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RQ7L055BGTCR
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2970
NUMER CZĘŚCI
RQ7L055BGTCR-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.36
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SCT4045DRC15
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
SCT4036KRC15
1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SCT4062KEC11
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
SCT4018KRC15
1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST