Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
R6012ANX
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
R6012ANX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13527508
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
R6012ANX Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220FM
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
R6012
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
R6012ANX
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIHA12N60E-E3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
923
NUMER CZĘŚCI
SIHA12N60E-E3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.99
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STF13NM60ND
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
672
NUMER CZĘŚCI
STF13NM60ND-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.78
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
AOTF15S65L
PRODUCENT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
830
NUMER CZĘŚCI
AOTF15S65L-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.18
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
TK10A80W,S4X
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
49
NUMER CZĘŚCI
TK10A80W,S4X-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.20
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
FDPF15N65
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
476
NUMER CZĘŚCI
FDPF15N65-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.17
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SCT2450KEC
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
R6007KNJTL
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
RDN120N25
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN
R5013ANXFU6
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM