Numer produktu producenta:
PJQ1916_R1_00201
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJQ1916_R1_00201-DG
Opis:
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 950mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3
Magazyn:
9145 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12987239
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJQ1916_R1_00201 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
950mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.2V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
46 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN1006-3
Pakiet / Walizka
3-UFDFN
Podstawowy numer produktu
PJQ1916
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJQ1916_R1_00201CT
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PJQ1916_R1_00201
PRODUCENT
Panjit International Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9145
NUMER CZĘŚCI
PJQ1916_R1_00201-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.06
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMT64M1LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMN3066L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
SIS184LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
