Numer produktu producenta:
PJD25N03_L2_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJD25N03_L2_00001-DG
Opis:
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 7A (Ta), 25A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252
Magazyn:
4297 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12972190
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJD25N03_L2_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Ta), 25A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
392 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
PJD25
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJD25N03_L2_00001TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJD1NA60A_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJD13N10A_L2_00001
100V N-CHANNEL MOSFET
PJQ5412_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
