Numer produktu producenta:
PJQ5412_R2_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJQ5412_R2_00001-DG
Opis:
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 45A (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DFN5060-8
Magazyn:
2969 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12972196
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJQ5412_R2_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Ta), 45A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
660 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN5060-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
PJQ5412
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJQ5412_R2_00001TR
3757-PJQ5412_R2_00001CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJL9438A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IRF540PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
PJC7406_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
