Numer produktu producenta:
SK8603170L
Product Overview
Producent:
Panasonic Electronic Components
Numer części:
SK8603170L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 20A/59A 8HSO
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 59A (Tc) 2.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B
Magazyn:
2947 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12865114
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SK8603170L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Panasonic
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Ta), 59A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 2.56mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2940 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.8W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
HSO8-F4-B
Pakiet / Walizka
8-PowerSMD, Flat Leads
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
P16269TR
P16269DKR
P16269CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
MTMF82310BBF
MOSFET N-CH 30V 18A SO8-F1-B
SK8603190L
MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO
FJ4B01110L1
MOSFET P-CH 12V 1.4A ALGA004
