Numer produktu producenta:
SK8603190L
Product Overview
Producent:
Panasonic Electronic Components
Numer części:
SK8603190L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 19A (Tc) 2.7W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B
Magazyn:
12865252
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SK8603190L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Panasonic
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta), 19A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1.01mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1092 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.7W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
HSO8-F4-B
Pakiet / Walizka
8-PowerSMD, Flat Leads
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
P16271CT
P16271DKR
P16271TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FJ4B01110L1
MOSFET P-CH 12V 1.4A ALGA004
FL6L52010L
MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1
MTM231100L
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI3-G1