SK8403160L
Numer produktu producenta:

SK8403160L

Product Overview

Producent:

Panasonic Electronic Components

Numer części:

SK8403160L-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 70A (Tc) 2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount HSSO8-F1-B

Magazyn:

2994 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12861490
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SK8403160L Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Panasonic
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Ta), 70A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 3.35mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3920 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
HSSO8-F1-B
Pakiet / Walizka
8-PowerSMD, Flat Leads

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
P16263DKR
P16263CT
P16263TR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
renesas-electronics-america

UPA1912TE(0)-T1-AT

MOSFET P-CH 12V 4.5A SC95

renesas-electronics-america

NP109N04PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3

renesas-electronics-america

RJK5012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK

renesas-electronics-america

NP100N055PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 100A TO263